在“十一五”863計劃支持下，清華大學“聲電和磁電功能薄膜與器件”創(chuàng)新團隊課題，在移動通訊用濾波器關鍵技術的研究與產業(yè)化、氧化鋅（ZnO）薄膜多功能化結構與性能調控的研究取得重要進展，獲得國家科技進步二等獎和國家自然科學二等獎，并通過人才培養(yǎng)和團隊建設，形成一支規(guī)模適度、素質優(yōu)良、結構合理、結構優(yōu)化和充滿活力的新材料創(chuàng)新隊伍，實現人才隊伍創(chuàng)新能力的跨越式提升。該課題近日順利通過驗收。
      “聲電和磁電功能薄膜與器件”創(chuàng)新團隊通過與中國電子科技集團公司第二十六研究所等單位合作，利用新開發(fā)的具有自主知識產權的中高頻聲表面波濾波器件的相關軟件與設計技術平臺，突破了聲表面波濾波器基片和叉指換能器材料的制備技術，大大提升了我國聲表面波技術領域在設計、材料、工藝、器件等方面的技術水平，打破了國外對移動通訊關鍵元器件技術、知識產權的壟斷，研制出在移動通訊領域廣泛使用的多種型號中頻和射頻（1.8GHz）聲表面波濾波器，創(chuàng)造了顯著的經濟和社會效益。
      該創(chuàng)新團隊還通過對ZnO薄膜材料的研究，發(fā)現了摻雜調制ZnO薄膜壓電性、磁性和阻變特性的一般規(guī)律，從理論上闡明了結構與性能的內在聯系，研制出高壓電特性（達到170pC/N）ZnO壓電薄膜、高原子磁矩（6.1μB/Co）和高居里溫度（790K）ZnO稀磁薄膜、高阻變窗口（107）的ZnO阻變薄膜，制備出中心頻率達到4.2GHz的ZnO基聲表面波濾波器，隧道磁電阻達46.8%的ZnO自旋電子器件和高速（擦寫速度達到5ns）的ZnO阻變存儲器，該研究成果達到國際先進水平，研制的新型ZnO材料與器件有望在新一代信息存儲與處理領域獲得重要應用，使我國在相關領域實現跨越式發(fā)展。