近日，復(fù)旦大學(xué)對外發(fā)布，復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院微電子學(xué)系教授江安全在高密度鐵電阻變存儲器的研究中取得重大進(jìn)展。

      江安全帶領(lǐng)的研究小組與中科院物理所、首爾大學(xué)、劍橋大學(xué)等教授合作，基于BiFeO3薄膜，證明了一種鐵電自發(fā)極化方向調(diào)制的p-n結(jié)電流，可運用于高密度信息的非揮發(fā)存儲。這也就意味著，在存儲器領(lǐng)域中，讀寫速度更快、可靠性更強(qiáng)、體積更小的存儲器有望誕生，其原理已經(jīng)取得實驗證實。

      據(jù)江安全介紹，正是由于鐵電變阻器在“高密度”研究方面的成功突破，使得它單位體積內(nèi)的存儲容量比現(xiàn)有的電容存儲器等有了巨大的提升空間。

      在未來，像現(xiàn)有U盤大小的存儲器可以有幾十G的存儲量，將不再是夢想。除了信息高密度存儲和快速擦寫特性，鐵電存儲器還具備了電壓低、成本低、損耗低、體積小的優(yōu)點，具有極大的產(chǎn)業(yè)化潛力，尤其是在電子標(biāo)簽、移動電話、公交卡、隨身聽、游戲卡和數(shù)碼相機(jī)等耗電少的電子產(chǎn)品中將率先得到應(yīng)用和發(fā)展。比如，在電子標(biāo)簽領(lǐng)域，也就是我們所熟悉的“條形碼”，在提高每個幾分錢成本的前提下，使用鐵電存儲器可以大大節(jié)省結(jié)賬的時間，原本需要逐一掃描的條形碼可以成批同時掃描。