據(jù)香港中通社報道，臺灣“國研院”納米(臺稱“奈米”)組件實驗室領(lǐng)先全球，開發(fā)出全球最小的9納米功能性電阻式內(nèi)存(R-RAM)數(shù)組晶胞；這個新內(nèi)存在幾乎不需耗電的情況下，1平方厘米面積內(nèi)可儲存 1個圖書館的文字數(shù)據(jù)，將讓信息電子產(chǎn)品的輕薄短小化有無限發(fā)揮的可能性，這項技術(shù)預計在5到10年內(nèi)進入批量生產(chǎn)。

　　負責“9納米超節(jié)能內(nèi)存”開發(fā)的何家驊博士說，隨著可攜式3C產(chǎn)品對體積越來越小以及容量越來越大的需求日益增加，如何能研發(fā)出體積更小、記憶量更大的內(nèi)存，是全球研究人員努力的目標。

　　如今臺灣開發(fā)出最小的9納米功能性電阻式內(nèi)存(R-RAM)數(shù)組晶胞，容量比現(xiàn)在的閃存增大20倍，但耗電量卻降低了200倍，應用這個技術(shù)在1平方厘米面積下，可以儲存1個圖書館的文字數(shù)據(jù)，而且可再借立體堆棧設計，進一步提升容量，讓信息電子產(chǎn)品的輕薄短小化有無限發(fā)揮的可能性。

　　這項重要開發(fā)成果已于12月8日在美國舊金山舉行的國際電子組件會議正式發(fā)表，引起國際微電子產(chǎn)學研界高度重視。